SEOUL: Syarikat pengeluar memori terkemuka, Micron, dilaporkan sedang membangunkan teknologi memori GDDR7 baharu yang menggunakan kaedah bertindan, menyamai struktur memori Jalur Lebar Tinggi (HBM).

Laporan daripada portal teknologi Korea Selatan, ETNews, mendedahkan bahawa Micron kini berada dalam fasa penyelidikan dan reka bentuk bagi menghasilkan cip GDDR7 dengan empat lapisan bertindan.

Langkah ini bertujuan meningkatkan kapasiti memori serta kecekapan penggunaan kuasa, selain menawarkan kelajuan penghantaran data yang jauh lebih pantas.

Walaupun memori siri GDDR lazimnya digunakan untuk kad grafik peranti permainan video (gaming), Micron dijangka akan memberi fokus utama kepada pemerkasaan sektor kecerdasan buatan (AI).

Penggunaan teknologi tindanan ini membolehkan pemproses AI mengendalikan beban kerja yang lebih besar dengan prestasi yang lebih optimum.

Micron dijangka akan memulakan proses ujian pengeluaran cip memori bertindan ini pada separuh kedua tahun ini.

Sampel pertama cip berkenaan dijangka mula diperlihatkan kepada umum pada awal tahun hadapan.

Setakat ini, masih belum dapat dipastikan sama ada Micron akan menawarkan teknologi cip memori bertindan ini untuk pasaran kad grafik kelas gaming atau mengekalkannya secara eksklusif untuk kegunaan industri AI.